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表麵處理清洗研磨拋光助劑生產廠家

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表麵處理清洗研磨拋光助劑生產廠家

  • 所屬分類:研磨助劑

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  • 發布日期:2020/06/24
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詳細介紹

拋光液特性
  拋光液是一種不含任何硫、磷、氯添加劑的水溶性拋光劑,具有良好的去油汙,防鏽,清洗和增光性能,並能使金屬製品超過原有的光澤。拋光液本產品性能穩定、無毒,對環境零汙染等作用,光液使用方法:包括棘輪扳手、開口扳手,批咀、套筒扳手,六角扳手,螺絲刀等,鉛錫合金、鋅合金等金屬產品經過研磨以後,再使用拋光劑配合振動研磨光飾機,滾桶式研磨光式機進行拋光;1拋光劑投放量為(根據不同產品的大小,光飾機的大小和各公司的產品光亮度要求進行適當配置),2:拋光時間:根據產品的狀態來定。3、拋光液完成後用清水清洗一次並且烘幹即可。 
化學機械拋光液
  這兩個概念主要出現在半導體加工過程中,半導體基片(襯底片)拋光沿用機械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等,但是得到的晶片表麵損傷是及其嚴重的。直到60年代末,一種新的拋光技術——化學機械拋光技術(CMP Chemical Mechanical Polishing )取代了舊的方法。CMP技術綜合了化學和機械拋光的優勢:單純的化學拋光,拋光速率較快,表麵光潔度高,損傷低,完整性好,但表麵平整度和平行度差,拋光後表麵一致性差;單純的機械拋光表麵一致性好,表麵平整度高,但表麵光潔度差,損傷層深。化學機械拋光可以獲得較為完整的表麵,又可以得到較高的拋光速率,得到的平整度比其他方法高兩個數量級,是目前能夠實現全局平麵化的有效方法。
拋光液步驟
  依據機械加工原理、半導體材料工程學、物力化學多相反應多相催化理論、表麵工程學、半導體化學基礎理論等,對矽單晶片化學機械拋光(CMP)機理、動力學控製過程和影響因素研究標明,化學機械拋光是一個複雜的多相反應,它存在著兩個動力學過程:   (1)拋光液首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表麵的矽原子在表麵進行氧化還原的動力學過程。這是化學反應的主體。   (2)拋光表麵反應物脫離矽單晶表麵,即解吸過程使未反應的矽單晶重新裸露出來的動力學過程。它是控製拋光速率的另一個重要過程。   矽片的化學機械拋光過程是以化學反應為主的機械拋光過程,要獲得質量好的拋光片,使拋光過程中的化學腐蝕作用與機械磨削作用達到一種平衡。如果化學腐蝕作用大於機械拋光作用,則拋光片表麵產生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機械磨削作用大於化學腐蝕作用,則表麵產生高損傷層。鄭州拋光液廠家,拋光液東莞供應商,拋光液廣東廠家,拋光液用途

拋光液產品
  矽材料拋光液
   藍寶石拋光液 
   砷化镓拋光液 
  铌酸鋰拋光液 
  鍺拋光液 
  集成電路多次銅布線拋光液 
  集成電路阻擋層拋光液
拋光液應用:
1. LED行業 
  目前LED芯片主要采用的襯底材料是藍寶石,在加工過程中需要對其進行減薄和拋光。藍寶石的硬度高,普通磨料難以對其進行加工。在用金剛石研磨液對藍寶石襯底表麵進行減薄和粗磨後,表麵不可避免的有一些或大或小的劃痕。CMP拋光液利用“軟磨硬”的原理很好的實現了藍寶石表麵的精密拋光。隨著LED行業的快速發展,聚晶金剛石研磨液及二氧化矽溶膠拋光液的需求也與日俱增。
   2.半導體行業
  CMP技術還廣泛的應用於集成電路(IC)和超大規模集成電路中(ULSI)對基體材料矽晶片的拋光。隨著半導體工業的急速發展,對拋光技術提出了新的要求,傳統的拋光技術(如:基於澱積技術的選擇澱積、濺射等)雖然也可以提供“光滑”的表麵,但卻都是局部平麵化技術,不能做到全局平麵化,而化學機械拋光技術解決了這個問題,它是目前的可以在整個矽圓晶片上全方麵平坦化的工藝技術。


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